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BSO604NS2 - Infineon
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图片信息
BSO604NS2 图片
BSO604NS2
  • 制造厂家：Infineon（英飞凌）
  • 类别封装：场效应管阵列，P-DSO-8
  • 技术参数：MOSFET 2N-CH 55V 5A 8DSO
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BSO604NS2 技术参数详情：
  • Infineon英飞凌公司完整型号：BSO604NS2
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET 2N-CH 55V 5A 8DSO
  • 系列：OptiMOS
  • FET 类型：2 个 N 沟道（双）
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：55V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：5A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：35 毫欧 @ 2.5A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 30A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：26nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：870pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：2W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装：P-DSO-8
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