BSO150N03MD G - Infineon
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图片信息
BSO150N03MD G
制造厂家:
Infineon(英飞凌)
类别封装:
场效应管阵列,PG-DSO-8
技术参数:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO
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BSO150N03MD G 技术参数详情:
Infineon英飞凌公司完整型号:BSO150N03MD G
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO
系列:OptiMOS
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):8A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):15 毫欧 @ 9.3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):17nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1300pF @ 15V
功率 - 最大值:1.4W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:PG-DSO-8
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