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BSD840N H6327 - Infineon
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图片信息
BSD840N H6327 图片
BSD840N H6327
  • 制造厂家：Infineon（英飞凌）
  • 类别封装：场效应管阵列，PG-SOT363-6
  • 技术参数：MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
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BSD840N H6327 技术参数详情：
  • Infineon英飞凌公司完整型号：BSD840N H6327
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
  • 系列：OptiMOS
  • FET 类型：2 个 N 沟道（双）
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：880mA
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：400 毫欧 @ 880mA，2.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：750mV @ 1.6A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.26nC @ 2.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：78pF @ 10V
  • 功率 - 最大值：500mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商器件封装：PG-SOT363-6
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