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BSD223P - Infineon
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图片信息
BSD223P 图片
BSD223P
  • 制造厂家：Infineon（英飞凌）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:PG-SOT363-PO
  • 技术参数：MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
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BSD223P 技术参数详情：
  • 型号:BSD223P
  • 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
  • 封装:PG-SOT363-PO
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:2 个 P 沟道（双）
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）:20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):390mA
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 390mA，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 1.5A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.62nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:56pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:250mW
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商器件封装:PG-SOT363-PO
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