BSC883N03MS G - Infineon
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图片信息
BSC883N03MS G
制造厂家:
Infineon(英飞凌)
类别封装:
单端场效应管,PG-TDSON-8
技术参数:
MOSFET N-CH 30V 98A TDSON-8
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BSC883N03MS G 技术参数详情:
Infineon英飞凌公司完整型号:BSC883N03MS G
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET N-CH 30V 98A TDSON-8
系列:OptiMOS
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):34V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):19A(Ta),98A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3.8 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):41nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3200pF @ 15V
功率 - 最大值:57W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerTDFN
供应商器件封装:PG-TDSON-8
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