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BSC084P03NS3E G - Infineon
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图片信息
BSC084P03NS3E G 图片
BSC084P03NS3E G
  • 制造厂家：Infineon（英飞凌）
  • 类别封装：单端场效应管，PG-TDSON-8
  • 技术参数：MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8
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BSC084P03NS3E G 技术参数详情：
  • Infineon英飞凌公司完整型号：BSC084P03NS3E G
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8
  • 系列：OptiMOS
  • FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：14.9A（Ta），78.6A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8.4 毫欧 @ 50A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 110A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：57.7nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4240pF @ 15V
  • 功率 - 最大值：2.5W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装：PG-TDSON-8
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