射频微波器件采购网，轻松满足您的射频微波器件采购需求
BSC042NE7NS3 G - Infineon
Infineon代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力，轻松满足您的射频微波器件采购需求
热门关注品牌：
Infineon产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
BSC042NE7NS3 G 图片
BSC042NE7NS3 G
  • 制造厂家：Infineon（英飞凌）
  • 类别封装：单端场效应管，PG-TDSON-8
  • 技术参数：MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8
  • 需要BSC042NE7NS3 G的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价，满足您的目标价格
BSC042NE7NS3 G 技术参数详情：
  • Infineon英飞凌公司完整型号：BSC042NE7NS3 G
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8
  • 系列：OptiMOS
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：75V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：19A（Ta），100A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.2 毫欧 @ 50A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 91A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：69nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4800pF @ 37.5V
  • 功率 - 最大值：125W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装：PG-TDSON-8（5.15x6.15）
  • 快速提供BSC042NE7NS3 G专业且全面的报价，Infineon代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
Infineon品牌LOGO
更多Infineon产品：
Infineon公司授权代理商
AIC
SolidRun
Unictron
Himax
Doodle Labs
BSC042NE7NS3 G（制造商：Infineon） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台