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BSB028N06NN3 G - Infineon
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图片信息
BSB028N06NN3 G 图片
BSB028N06NN3 G
  • 制造厂家：Infineon（英飞凌）
  • 类别封装：单端场效应管，MG-WDSON-2
  • 技术参数：MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2
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BSB028N06NN3 G 技术参数详情：
  • Infineon英飞凌公司完整型号：BSB028N06NN3 G
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2
  • 系列：OptiMOS
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：60V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：22A（Ta），90A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.8 毫欧 @ 30A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 102A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：143nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：12000pF @ 30V
  • 功率 - 最大值：78W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：3-WDSON
  • 供应商器件封装：MG-WDSON-2，CanPAK M
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