BFR 35AP E6327 - Infineon
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图片信息
BFR 35AP E6327
制造厂家:
Infineon(英飞凌)
类别封装:
RF晶体管,PG-SOT23-3
技术参数:
TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-23
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BFR 35AP E6327 技术参数详情:
Infineon英飞凌公司完整型号:BFR 35AP E6327
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-23
系列:-
晶体管类型:NPN
电压 - 集射极击穿(最大值):15V
频率 - 跃迁:5GHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益:10.5dB ~ 16dB
功率 - 最大值:280mW
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):70 @ 15mA,8V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):45mA
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:PG-SOT23-3
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