BCR 35PN E6327 - Infineon
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图片信息
BCR 35PN E6327
制造厂家:
Infineon(英飞凌)
类别封装:
阵列预偏压式晶体管,PG-SOT363-6
技术参数:
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
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BCR 35PN E6327 技术参数详情:
Infineon英飞凌公司完整型号:BCR 35PN E6327
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
系列:-
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底 (R1) (Ω):10k
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω):47k
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):70 @ 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500A,10mA
电流 - 集电极截止(最大值):-
频率 - 跃迁:150MHz
功率 - 最大值:250mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:PG-SOT363-6
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BCR 35PN E6327
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