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BCR 198S H6327 - Infineon
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图片信息
BCR 198S H6327 图片
BCR 198S H6327
  • 制造厂家：Infineon（英飞凌）
  • 类别封装：阵列预偏压式晶体管，PG-SOT363-6
  • 技术参数：TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
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BCR 198S H6327 技术参数详情：
  • Infineon英飞凌公司完整型号：BCR 198S H6327
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
  • 系列：-
  • 晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
  • 电阻器 - 基底 (R1) (Ω)：47k
  • 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)：47k
  • 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：70 @ 5mA，5V
  • 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：300mV @ 500A，10mA
  • 电流 - 集电极截止（最大值）：-
  • 频率 - 跃迁：190MHz
  • 功率 - 最大值：250mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商器件封装：PG-SOT363-6
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