BCR 169S H6327 - Infineon
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图片信息
BCR 169S H6327
制造厂家:
Infineon(英飞凌)
类别封装:
阵列预偏压式晶体管,PG-SOT363-6
技术参数:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
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BCR 169S H6327 技术参数详情:
Infineon英飞凌公司完整型号:BCR 169S H6327
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
系列:-
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底 (R1) (Ω):4.7k
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω):-
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):120 @ 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500A,10mA
电流 - 集电极截止(最大值):-
频率 - 跃迁:200MHz
功率 - 最大值:250mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:PG-SOT363-6
快速提供
BCR 169S H6327
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