BB814E6327GR2 - Infineon
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图片信息
BB814E6327GR2
制造厂家:
Infineon(英飞凌)
类别封装:
分立半导体产品 > 二极管 > 可变电容(变容器,可变电抗器),封装:PG-SOT23-3-1
技术参数:
DIODE VARCTR 18V DUAL SOT23-3-1
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BB814E6327GR2 技术参数详情:
型号:BB814E6327GR2
品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
封装:PG-SOT23-3-1
类目:分立半导体产品 > 二极管 > 可变电容(变容器,可变电抗器)
描述:DIODE VARCTR 18V DUAL SOT23-3-1
系列:-
包装:散装
产品状态:在售
不同Vr、F 时电容:22.7pF @ 8V,1MHz
电容比:2.25
电容比条件:C2/C8
电压 - 峰值反向(最大值):18 V
二极管类型:1 对共阴极
不同 Vr、F 时 Q 值:200 @ 2V,100MHz
工作温度:-55°C ~ 125°C
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:PG-SOT23-3-1
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BB814E6327GR2
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