BA 892 H6770 - Infineon
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图片信息
BA 892 H6770
制造厂家:
Infineon(英飞凌)
类别封装:
RF二极管,PG-SCD80-2
技术参数:
DIODE RF SW 35V 100MA SCD80
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BA 892 H6770 技术参数详情:
Infineon英飞凌公司完整型号:BA 892 H6770
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:DIODE RF SW 35V 100MA SCD80
系列:-
二极管类型:标准 - 单
电压 - 峰值反向(最大值):35V
电流 - 最大值:100mA
不同 Vr、F 时的电容:1.1pF @ 3V,1MHz
不同 If、F 时的电阻:500 毫欧 @ 10mA,100MHz
功率耗散(最大值):-
封装/外壳:SC-80
供应商器件封装:PG-SCD80-2
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