AMM12S36LB1ZXKMA1 技术参数详情：
- 型号:AMM12S36LB1ZXKMA1
- 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
- 封装:DIP 44x28DA
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:AMM12S36LB1ZXKMA1
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 技术:碳化硅（SiC）
- 配置:6 N 沟道（三相逆变器）
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:1200V（1.2kV）
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):46A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50.8 毫欧 @ 18.2A，18V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5.1V @ 5.7mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44nC @ 18V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1415pF @ 800V
- 功率 - 最大值:189W
- 工作温度:-40°C ~ 175°C
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:32-PowerDIP 模块（1.264，32.10mm）
- 供应商器件封装:DIP 44x28DA
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