AIHD10N60RATMA1 - Infineon
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图片信息
AIHD10N60RATMA1
制造厂家:
Infineon(英飞凌)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT,封装:PG-TO252-3-313
技术参数:
IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
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AIHD10N60RATMA1 技术参数详情:
型号:AIHD10N60RATMA1
品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
封装:PG-TO252-3-313
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
描述:IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:停产
IGBT 类型:沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):30 A
不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,10A
功率 - 最大值:150 W
开关能量:210J(导通),380J(关断)
输入类型:标准
栅极电荷:64 nC
25°C 时 Td(开/关)值:14ns/192ns
测试条件:400V,10A,23 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):-
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
供应商器件封装:PG-TO252-3-313
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