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AIHD06N60RFATMA1 - Infineon
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图片信息
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AIHD06N60RFATMA1
  • 制造厂家：Infineon（英飞凌）
  • 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
  • 技术参数：IC DISCRETE 600V TO252-3
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AIHD06N60RFATMA1 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：AIHD06N60RFATMA1
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：IC DISCRETE 600V TO252-3
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：沟槽型场截止
  • 电压-集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：12A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：18A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，6A
  • 功率-最大值：100W
  • 开关能量：90J（开），90J（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：48nC
  • 25°C时Td（开/关）值：8ns/105ns
  • 测试条件：400V，6A，23 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：-
  • 工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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