
VMM90-09F 技术参数详情:
- 产品型号:VMM90-09F
- 产品品牌:IXYS
- 产品类目:晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列(分立半导体)
- 产品描述:MOSFET 2N-CH 900V 85A Y3-LI
- 产品封装:Y3-Li
- 产品系列:HiPerFET
- 包装:盒
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 配置:2 N-通道(双)
- FET 功能:-
- 漏源电压(Vdss):900V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):85A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):76 毫欧 @ 65A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 30mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):960nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):-
- 功率 - 最大值:-
- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:Y3-Li
- 供应商器件封装:Y3-Li
- 快速提供VMM90-09F专业且全面的报价,IXYS代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。

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