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IXXN110N65B4H1 - IXYS
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图片信息
IXXN110N65B4H1 图片
IXXN110N65B4H1
  • 制造厂家：IXYS（力特 Littelfuse，艾赛斯）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块，封装:SOT-227B
  • 技术参数：IGBT MOD 650V 215A 750W SOT-227B
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IXXN110N65B4H1 技术参数详情：
  • 型号:IXXN110N65B4H1
  • 品牌:IXYS (已被Littelfuse力特收购)
  • 封装:SOT-227B
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
  • 描述:IGBT MOD 650V 215A 750W SOT-227B
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • IGBT 类型:PT
  • 配置:单路
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:215 A
  • 功率 - 最大值:750 W
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，110A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）:50 A
  • 不同Vce 时输入电容 (Cies):3.65 nF @ 25 V
  • 输入:标准
  • NTC 热敏电阻:无
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC
  • 供应商器件封装:SOT-227B
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