
IXTH24P20 技术参数详情:
- 产品型号:IXTH24P20
- 产品品牌:IXYS
- 产品类目:晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分立半导体)
- 产品描述:MOSFET P-CH 200V 24A TO247
- 产品封装:TO-247-3
- 产品系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):150 毫欧 @ 500mA,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):150 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):4200 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):300W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247(IXTH)
- 封装/外壳:TO-247-3
- 快速提供IXTH24P20专业且全面的报价,IXYS代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。

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