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IXYS产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
IXTA7N60P 图片
  • 制造厂家:IXYS(力特 Littelfuse,艾赛斯)
  • 类别封装:单端场效应管,TO-263
  • 技术参数:MOSFET N-CH 600V 7A D2-PAK
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IXTA7N60P 技术参数详情:
  • IXYS公司完整型号:IXTA7N60P
  • 制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半导体收购)
  • 描述:MOSFET N-CH 600V 7A D2-PAK
  • 系列:PolarHV
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):600V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):7A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.1 欧姆 @ 3.5A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5.5V @ 100A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):20nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1080pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:150W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-263-3,DPak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:TO-263 (IXTA)
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