射频微波器件采购网，轻松满足您的射频微波器件采购需求
IXGT35N120B - IXYS
IXYS代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力，轻松满足您的射频微波器件采购需求
热门关注品牌：
IXYS产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
IXGT35N120B 图片
IXGT35N120B
  • 制造厂家：IXYS（力特 Littelfuse，艾赛斯）
  • 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-268-3，DPak（2 引线 + 接片），TO-268AA
  • 技术参数：IGBT 1200V 70A 300W TO268
  • 需要IXGT35N120B的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价，满足您的目标价格
IXGT35N120B 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：IXGT35N120B
  • 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
  • 描述：IGBT 1200V 70A 300W TO268
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：HiPerFAST
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：PT
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：70A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：140A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：3.3V @ 15V，35A
  • 功率-最大值：300W
  • 开关能量：3.8mJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：170nC
  • 25°C时Td（开/关）值：50ns/180ns
  • 测试条件：960V，35A，5 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：-
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：TO-268-3，DPak（2 引线 + 接片），TO-268AA
  • 快速提供IXGT35N120B专业且全面的报价，IXYS代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
IXYS品牌LOGO
更多IXYS产品：
IXYS公司授权代理商
IDT
Apex Tool Group
Option NV
JAE
VINATech
IXGT35N120B（制造商：IXYS） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台