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IXGT30N60C2D1 - IXYS
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图片信息
IXGT30N60C2D1 图片
IXGT30N60C2D1
  • 制造厂家：IXYS（力特 Littelfuse，艾赛斯）
  • 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-268-3，DPak（2 引线 + 接片），TO-268AA
  • 技术参数：IGBT 600V 70A 190W TO268
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IXGT30N60C2D1 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：IXGT30N60C2D1
  • 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
  • 描述：IGBT 600V 70A 190W TO268
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：HiPerFAST
  • 零件状态：停产
  • IGBT类型：PT
  • 电压-集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：70A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：150A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，24A
  • 功率-最大值：190W
  • 开关能量：190J（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：70nC
  • 25°C时Td（开/关）值：13ns/70ns
  • 测试条件：400V，24A，5 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：25ns
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：TO-268-3，DPak（2 引线 + 接片），TO-268AA
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