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IXGT20N120B - IXYS
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IXYS产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
IXGT20N120B 图片
IXGT20N120B
  • 制造厂家：IXYS（力特 Littelfuse，艾赛斯）
  • 类别封装：单路IGBT，TO-268
  • 技术参数：IGBT 1200V 40A 190W TO268
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IXGT20N120B 技术参数详情：
  • IXYS公司完整型号：IXGT20N120B
  • 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
  • 描述：IGBT 1200V 40A 190W TO268
  • 系列：-
  • IGBT 类型：PT
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：40A
  • Current - Collector Pulsed (Icm)：80A
  • 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：3.4V @ 15V，20A
  • 功率 - 最大值：190W
  • Switching Energy：2.1mJ（关）
  • 输入类型：标准
  • Gate Charge：72nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值：25ns/150ns
  • Test Condition：960V，20A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间 (trr)：-
  • 封装/外壳：TO-268-3，DPak（2 引线+接片），TO-268AA
  • 安装类型：表面贴装
  • 供应商器件封装：TO-268
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