IXGQ20N120BD1 - IXYS
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图片信息
IXGQ20N120BD1
制造厂家:
IXYS(力特 Littelfuse,艾赛斯)
类别封装:
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-3P-3,SC-65-3
技术参数:
IGBT 1200V 40A 190W TO3P
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IXGQ20N120BD1 技术参数详情:
制造商产品型号:IXGQ20N120BD1
制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半导体收购)
描述:IGBT 1200V 40A 190W TO3P
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:-
零件状态:有源
IGBT类型:-
电压-集射极击穿(最大值):1200V
电流-集电极(Ic)(最大值):40A
电流-集电极脉冲(Icm):100A
不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):3.4V @ 15V,20A
功率-最大值:190W
开关能量:2.1mJ(关)
输入类型:标准
栅极电荷:62nC
25°C时Td(开/关)值:20ns/270ns
测试条件:960V,20A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):40ns
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装:TO-3P-3,SC-65-3
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IXGQ20N120BD1
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