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IXYS产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
IXGQ20N120BD1 图片
  • 制造厂家:IXYS(力特 Littelfuse,艾赛斯)
  • 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-3P-3,SC-65-3
  • 技术参数:IGBT 1200V 40A 190W TO3P
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IXGQ20N120BD1 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:IXGQ20N120BD1
  • 制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半导体收购)
  • 描述:IGBT 1200V 40A 190W TO3P
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:-
  • 电压-集射极击穿(最大值):1200V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):40A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):100A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):3.4V @ 15V,20A
  • 功率-最大值:190W
  • 开关能量:2.1mJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:62nC
  • 25°C时Td(开/关)值:20ns/270ns
  • 测试条件:960V,20A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):40ns
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-3P-3,SC-65-3
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