图片信息
IXGP4N100 技术参数详情：
- 产品型号:IXGP4N100
- 产品品牌:IXYS
- 产品类目:晶体管 > IGBT > 单 IGBT（分立半导体）
- 产品描述:IGBT 1000V 8A 40W TO220AB
- 产品封装:TO-220-3
- 产品系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1000 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:8 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16 A
- 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，4A
- 功率 - 最大值:40 W
- 开关能量:900μJ（关）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:13.6 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/390ns
- 测试条件:800V，4A，120 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220-3
- 快速提供IXGP4N100专业且全面的报价，IXYS代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
更多IXYS产品：
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
固态继电器（继电器）
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
二极管 > 整流器 > 单二极管（分立半导体）
电源管理（PMIC） > 栅极驱动器（集成电路（
二极管 > 桥式整流器（分立半导体）
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
二极管 > 整流器 > 二极管阵列（分立半导体
评估板 > 扩展板，子卡（开发板，套件，编程
射频接收器（射频和无线）
射频前端（LNA + PA）（射频和无线）
同轴连接器（射频） > 同轴连接器（RF）适配
RF 解调器（射频和无线）
IXGP4N100（制造商：IXYS） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台