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IXGP2N100A - IXYS
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IXYS产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
IXGP2N100A 图片
IXGP2N100A
  • 制造厂家：IXYS（力特 Littelfuse，艾赛斯）
  • 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-220-3
  • 技术参数：IGBT 1000V 4A 25W TO220AB
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IXGP2N100A 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：IXGP2N100A
  • 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
  • 描述：IGBT 1000V 4A 25W TO220AB
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：-
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1000V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：4A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：8A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：3.5V @ 15V，2A
  • 功率-最大值：25W
  • 开关能量：260J（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：7.8nC
  • 25°C时Td（开/关）值：15ns/300ns
  • 测试条件：800V，2A，150 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：-
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-220-3
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