IXGH56N60B3 - IXYS
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图片信息
IXGH56N60B3
制造厂家:
IXYS(力特 Littelfuse,艾赛斯)
类别封装:
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-247-3
技术参数:
DISC IGBT PT-MID FREQUENCY TO-24
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IXGH56N60B3 技术参数详情:
制造商产品型号:IXGH56N60B3
制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半导体收购)
描述:DISC IGBT PT-MID FREQUENCY TO-24
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:GenX3
零件状态:停产
IGBT类型:PT
电压-集射极击穿(最大值):600V
电流-集电极(Ic)(最大值):130A
电流-集电极脉冲(Icm):350A
不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,44A
功率-最大值:330W
开关能量:1.3mJ(开),1.05mJ(关)
输入类型:标准
栅极电荷:138nC
25°C时Td(开/关)值:26ns/155ns
测试条件:480V,44A,5 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):41ns
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装:TO-247-3
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IXGH56N60B3
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