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IXFT18N100Q3 - IXYS
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图片信息
IXFT18N100Q3 图片
IXFT18N100Q3
  • 制造厂家：IXYS（力特 Littelfuse，艾赛斯）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:TO-268AA
  • 技术参数：MOSFET N-CH 1000V 18A TO268
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IXFT18N100Q3 技术参数详情：
  • 型号:IXFT18N100Q3
  • 品牌:IXYS (已被Littelfuse力特收购)
  • 封装:TO-268AA
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 1000V 18A TO268
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:1000 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:660 毫欧 @ 9A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:6.5V @ 4mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4890 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:830W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:TO-268AA
  • 封装/外壳:TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
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