- 制造厂家:IXYS
- 类别封装:晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分立半导体),TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
- 技术参数:MOSFET N-CH 100V 140A TO268
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IXFT140N10P 技术参数详情:
- 产品型号:IXFT140N10P
- 产品品牌:IXYS
- 产品类目:晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分立半导体)
- 产品描述:MOSFET N-CH 100V 140A TO268
- 产品封装:TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
- 产品系列:HiPerFET, Polar
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):140A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):11 毫欧 @ 70A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 4mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):155 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):4700 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):600W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-268AA
- 封装/外壳:TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
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