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IXFN180N10 - IXYS
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图片信息
IXFN180N10 图片
IXFN180N10
  • 制造厂家：IXYS（力特 Littelfuse，艾赛斯）
  • 类别封装：场效应管模块，SOT-227B
  • 技术参数：MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B
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IXFN180N10 技术参数详情：
  • IXYS公司完整型号：IXFN180N10
  • 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
  • 描述：MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B
  • 系列：HiPerFET
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：180A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8 毫欧 @ 500mA，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 8mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：360nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：9100pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：600W
  • 安装类型：底座安装
  • 封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
  • 供应商器件封装：SOT-227B
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