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IXFH20N60 - IXYS
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IXYS产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
IXFH20N60 图片
IXFH20N60
  • 制造厂家：IXYS（力特 Littelfuse，艾赛斯）
  • 类别封装：单端场效应管，TO-247AD
  • 技术参数：MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
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IXFH20N60 技术参数详情：
  • IXYS公司完整型号：IXFH20N60
  • 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
  • 系列：HiPerFET
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：600V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：20A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：350 毫欧 @ 10A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 4mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：170nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4500pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：300W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-247-3
  • 供应商器件封装：TO-247AD （IXFH）
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