IXFA3N120TRL - IXYS
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图片信息
IXFA3N120TRL
制造厂家:
IXYS(力特 Littelfuse,艾赛斯)
类别封装:
FET - 单,TO-263-3,DPak
技术参数:
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
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IXFA3N120TRL 技术参数详情:
IXYS公司完整型号: IXFA3N120TRL
制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半导体收购)
功能总体简述: MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
系列: HiPerFET
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 3A(Tc)
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值): 4.5 欧姆 @ 1.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 5V @ 1.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 39nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 1050pF @ 25V
功率 - 最大值: 200W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,DPak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装: TO-263
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