射频微波器件采购网,轻松满足您的射频微波器件采购需求
IXYS代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力,轻松满足您的射频微波器件采购需求
IXYS产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
IXFA3N120TRL 图片
  • 制造厂家:IXYS(力特 Littelfuse,艾赛斯)
  • 类别封装:FET - 单,TO-263-3,DPak
  • 技术参数:MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
  • 需要IXFA3N120TRL的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准,满足您的目标价格,射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价,满足您的目标价格
IXFA3N120TRL 技术参数详情:
  • IXYS公司完整型号: IXFA3N120TRL
  • 制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半导体收购)
  • 功能总体简述: MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
  • 系列: HiPerFET
  • FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压(Vdss): 1200V(1.2kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 3A(Tc)
  • 不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值): 4.5 欧姆 @ 1.5A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 5V @ 1.5mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 39nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 1050pF @ 25V
  • 功率 - 最大值: 200W
  • 安装类型: 表面贴装
  • 封装/外壳: TO-263-3,DPak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商器件封装: TO-263
  • 快速提供IXFA3N120TRL专业且全面的报价,IXYS代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
IXYS品牌LOGO
更多IXYS产品:
IXFA3N120TRL(制造商:IXYS) - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台