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- 制造厂家：IXYS
- 类别封装：晶体管 > IGBT > IGBT 模块（分立半导体），SOT-227-4，miniBLOC
- 技术参数：IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B
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IXDN75N120 技术参数详情：
- 产品型号:IXDN75N120
- 产品品牌:IXYS
- 产品类目:晶体管 > IGBT > IGBT 模块（分立半导体）
- 产品描述:IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B
- 产品封装:SOT-227-4，miniBLOC
- 产品系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:NPT
- 配置:单路
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:150 A
- 功率 - 最大值:660 W
- 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，75A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:4 mA
- 不同?Vce 时输入电容 (Cies):5.5 nF @ 25 V
- 输入:标准
- NTC 热敏电阻:无
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC
- 供应商器件封装:SOT-227B
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