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IXDA20N120AS - IXYS
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图片信息
IXDA20N120AS 图片
IXDA20N120AS
  • 制造厂家：IXYS（力特 Littelfuse，艾赛斯）
  • 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-263-3，DPak（2 引线 + 接片），TO-263AB
  • 技术参数：IGBT 1200V 38A 200W TO263AB
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IXDA20N120AS 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：IXDA20N120AS
  • 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
  • 描述：IGBT 1200V 38A 200W TO263AB
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：NPT
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：38A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：-
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：3V @ 15V，20A
  • 功率-最大值：200W
  • 开关能量：3.1mJ（开），2.4mJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：70nC
  • 25°C时Td（开/关）值：-
  • 测试条件：600V，20A，82 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：-
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：TO-263-3，DPak（2 引线 + 接片），TO-263AB
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