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IXCY01N90E - IXYS
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图片信息
IXCY01N90E 图片
IXCY01N90E
  • 制造厂家：IXYS（力特 Littelfuse，艾赛斯）
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-252
  • 技术参数：MOSFET N-CH 900V 250MA TO252
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IXCY01N90E 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：IXCY01N90E
  • 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
  • 描述：MOSFET N-CH 900V 250MA TO252
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：900V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：250mA（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：80 欧姆 @ 50mA，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 25A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：7.5nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：133pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：40W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：TO-252
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