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IX6R11S6 技术参数详情：
- 产品型号:IX6R11S6
- 产品品牌:IXYS
- 产品类目:电源管理（PMIC） > 栅极驱动器（集成电路（IC））
- 产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 18SOIC
- 产品封装:18-SOIC（0.295英寸，7.50mm 宽）
- 产品系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:独立式
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:10V ~ 35V
- 逻辑电压?- VIL，VIH:6V，9.6V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:6A，6A
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
- 上升/下降时间（典型值）:25ns，17ns
- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:18-SOIC（0.295英寸，7.50mm 宽）
- 供应商器件封装:18-SOIC
- 快速提供IX6R11S6专业且全面的报价，IXYS代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
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