- 制造厂家:IXYS
- 类别封装:电源管理(PMIC) > 栅极驱动器(集成电路(IC)),16-SOIC(0.154英寸,3.90mm 宽)焊盘托盘
- 技术参数:MOSFET IGBT SIC DRIVER 9A
- 需要IX4351NETR的报价? 那就马上联系我们吧!
- 最快当日发货、严格的质量标准,满足您的目标价格,射频微波器件一站式采购

IX4351NETR 技术参数详情:
- 产品型号:IX4351NETR
- 产品品牌:IXYS Integrated Circuits Division
- 产品类目:电源管理(PMIC) > 栅极驱动器(集成电路(IC))
- 产品描述:MOSFET IGBT SIC DRIVER 9A
- 产品封装:16-SOIC(0.154英寸,3.90mm 宽)焊盘托盘
- 产品系列:-
- 包装:卷带(TR)剪切带(CT) 南皇定制卷带
- 产品状态:在售
- 可编程:未验证
- 驱动配置:低端
- 通道类型:单路
- 驱动器数:1
- 栅极类型:IGBT,SiC MOSFET
- 电压 - 供电:-10V ~ 25V
- 逻辑电压?- VIL,VIH:1V,2.2V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):9A,9A
- 输入类型:CMOS,TTL
- 高压侧电压 - 最大值(自举):-
- 上升/下降时间(典型值):10ns,10ns
- 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:16-SOIC(0.154英寸,3.90mm 宽)焊盘托盘
- 供应商器件封装:16-SOIC-EP
- 快速提供IX4351NETR专业且全面的报价,IXYS代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。

更多IXYS产品:
- 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器(集成电路(
- 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
- 晶体管 > IGBT > 单 IGBT(分立半导体)
- 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
- 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
- 二极管 > 整流器 > 单二极管(分立半导体)
- 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
- 晶闸管 > SCR 模块(分立半导体)
- 晶体管 > IGBT > 单 IGBT(分立半导体)
- 晶闸管 > 双向可控硅(分立半导体)
- RF 天线(射频和无线)
- 评估板 > 扩展板,子卡(开发板,套件,编程
- 馈通式电容器(滤波器)
- 评估板 > 射频评估和开发套件,板(开发板,
- 射频环行器和隔离器(射频和无线)

IX4351NETR(制造商:IXYS) - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台