图片信息
IX4351NE 技术参数详情：
- 产品型号:IX4351NE
- 产品品牌:IXYS Integrated Circuits Division
- 产品类目:电源管理（PMIC） > 栅极驱动器（集成电路（IC））
- 产品描述:MOSFET IGBT SIC DRIVER 9A
- 产品封装:16-SOIC（0.154英寸，3.90mm 宽）焊盘托盘
- 产品系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 可编程:未验证
- 驱动配置:低端
- 通道类型:单路
- 驱动器数:1
- 栅极类型:IGBT，SiC MOSFET
- 电压 - 供电:-10V ~ 25V
- 逻辑电压?- VIL，VIH:1V，2.2V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:9A，9A
- 输入类型:CMOS，TTL
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
- 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns
- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:16-SOIC（0.154英寸，3.90mm 宽）焊盘托盘
- 供应商器件封装:16-SOIC-EP
- 快速提供IX4351NE专业且全面的报价，IXYS代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
更多IXYS产品：
二极管 > 整流器 > 二极管阵列（分立半导体
晶体管 > IGBT > 单 IGBT（分立半导体）
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
固态继电器（继电器）
二极管 > 桥式整流器（分立半导体）
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
二极管 > 整流器 > 单二极管（分立半导体）
二极管 > 桥式整流器（分立半导体）
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
模块化连接器 > 模块化连接器磁性插孔（连接
射频放大器（射频和无线）
同轴连接器（射频） > 同轴连接器（RF）组件
射频环行器和隔离器（射频和无线）
重型连接器 > 重型连接器触头（连接器，互连
IX4351NE（制造商：IXYS） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台