
IX3120GE 技术参数详情:
- 产品型号:IX3120GE
- 产品品牌:IXYS Integrated Circuits Division
- 产品类目:隔离器 - 栅极驱动器(隔离器)
- 产品描述:OPTOISO 3.75KV 1CH GATE DVR 8DIP
- 产品封装:8-DIP(0.300",7.62mm)
- 产品系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 技术:光学耦合
- 通道数:1
- 电压 - 隔离:3750Vrms
- 共模瞬变抗扰度(最小值):25kV/μs
- 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):500ns,500ns
- 脉宽失真(最大):300ns
- 上升/下降时间(典型值):100ns,100ns
- 电流 - 输出高、低:2A,2A
- 电流 - 峰值输出:2.5A
- 电压 - 正向 (Vf)(典型值):1.24V
- 电流 - DC 正向 (If)(最大值):20 mA
- 电压 -?输出供电:15V ~ 30V
- 等级:-
- 资质:-
- 工作温度:-40°C ~ 100°C
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:8-DIP(0.300英寸,7.62mm)
- 供应商器件封装:8-DIP
- 认证机构:IEC/EN/DIN,UR
- 快速提供IX3120GE专业且全面的报价,IXYS代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。

更多IXYS产品:
晶体管 > IGBT > 单 IGBT(分立半导体)
晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
电源管理(PMIC) > 栅极驱动器(集成电路(
晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
晶闸管 > SCR 模块(分立半导体)
晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
二极管 > 整流器 > 二极管阵列(分立半导体
电源管理(PMIC) > 栅极驱动器(集成电路(
晶体管 > IGBT > IGBT 模块(分立半导体)
二极管 > 整流器 > 二极管阵列(分立半导体
D-Sub 电缆(电缆组件)
射频环行器和隔离器(射频和无线)
陶瓷电容器(电容器)
射频放大器(射频和无线)
背板连接器 > Hard Metric,标准(连接器,

IX3120GE(制造商:IXYS) - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台



