IS43R86400D-6BL - ISSI
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图片信息
IS43R86400D-6BL
制造厂家:
ISSI(芯成半导体)
类别封装:
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:60-TFBGA(8x13)
技术参数:
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
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IS43R86400D-6BL 技术参数详情:
型号:IS43R86400D-6BL
品牌:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc (ISSI,芯成半导体)
封装:60-TFBGA(8x13)
类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
系列:-
包装:托盘
产品状态:不适用于新设计
南皇电子 可编程:未验证
存储器类型:易失
存储器格式:DRAM
技术:SDRAM - DDR
存储容量:512Mb
存储器组织:64M x 8
存储器接口:并联
时钟频率:166 MHz
写周期时间 - 字,页:15ns
访问时间:700 ps
电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:60-TFBGA
供应商器件封装:60-TFBGA(8x13)
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