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IS42S32200N-6BL - ISSI
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图片信息
IS42S32200N-6BL 图片
IS42S32200N-6BL
  • 制造厂家：ISSI（芯成半导体）
  • 类别封装：集成电路（IC） > 存储器 > 存储器，封装:90-TFBGA（8x13）
  • 技术参数：IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA
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IS42S32200N-6BL 技术参数详情：
  • 型号:IS42S32200N-6BL
  • 品牌:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc (ISSI,芯成半导体)
  • 封装:90-TFBGA（8x13）
  • 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:-
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM
  • 存储容量:64Mbit
  • 存储器组织:2M x 32
  • 存储器接口:LVTTL
  • 时钟频率:166 MHz
  • 写周期时间 - 字，页:-
  • 访问时间:5.4 ns
  • 电压 - 供电:3V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:90-TFBGA
  • 供应商器件封装:90-TFBGA（8x13）
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