射频微波器件采购网，轻松满足您的射频微波器件采购需求
IRL6372TRPBF - IR
IR代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力，轻松满足您的射频微波器件采购需求
热门关注品牌：
IR产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
IRL6372TRPBF 图片
IRL6372TRPBF
  • 制造厂家：IR（International Rectifier，英飞凌INFINEON）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:8-SO
  • 技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
  • 需要IRL6372TRPBF的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价，满足您的目标价格
IRL6372TRPBF 技术参数详情：
  • 型号:IRL6372TRPBF
  • 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
  • 封装:8-SO
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:2 N-通道（双）
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）:30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.1A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17.9 毫欧 @ 8.1A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 10A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1020pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:2W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装:8-SO
  • 快速提供IRL6372TRPBF专业且全面的报价，IR代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
IR品牌LOGO
更多IR产品：
IR公司授权代理商
Wise-Integration
SkyHigh
Amtery
Curtis
Twin Industries
IRL6372TRPBF（制造商：IR） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台