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IRFSL23N20D102P - IR
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图片信息
IRFSL23N20D102P 图片
IRFSL23N20D102P
  • 制造厂家：IR（International Rectifier，英飞凌INFINEON）
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-262
  • 技术参数：MOSFET N-CH 200V 24A TO262
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IRFSL23N20D102P 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：IRFSL23N20D102P
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 200V 24A TO262
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：HEXFET
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：200V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：24A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：100 毫欧 @ 14A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：86nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1960pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），170W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-262
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