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IRFHM8363TR2PBF - IR
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图片信息
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IRFHM8363TR2PBF
  • 制造厂家：IR（International Rectifier，英飞凌INFINEON）
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerVDFN
  • 技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
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IRFHM8363TR2PBF 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：IRFHM8363TR2PBF
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：*
  • 零件状态：停产
  • FET类型：2 N-通道（双）
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：11A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：14.9 毫欧 @ 10A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 25A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：15nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1165pF @ 10V
  • 功率-最大值：2.7W
  • 工作温度：-
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：8-PowerVDFN
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