射频微波器件采购网，轻松满足您的射频微波器件采购需求
IRFH5302DTR2PBF - IR
IR代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力，轻松满足您的射频微波器件采购需求
热门关注品牌：
IR产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
IRFH5302DTR2PBF 图片
IRFH5302DTR2PBF
  • 制造厂家：IR（International Rectifier，英飞凌INFINEON）
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PQFN（5x6）单芯片焊盘
  • 技术参数：MOSFET N-CH 30V 29A/100A PQFN
  • 需要IRFH5302DTR2PBF的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价，满足您的目标价格
IRFH5302DTR2PBF 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：IRFH5302DTR2PBF
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 29A/100A PQFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：*
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：29A（Ta），100A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.5 毫欧 @ 50A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 100A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：55nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：-
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3635pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：-
  • 工作温度：-
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：PQFN（5x6）单芯片焊盘
  • 快速提供IRFH5302DTR2PBF专业且全面的报价，IR代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
IR品牌LOGO
更多IR产品：
IR公司授权代理商
Fox
Cincon
GeneSiC
RICOH
AEI
IRFH5302DTR2PBF（制造商：IR） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台