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IRF8513PBF - IR
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图片信息
IRF8513PBF 图片
IRF8513PBF
  • 制造厂家：IR（International Rectifier，英飞凌INFINEON）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:8-SO
  • 技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8SO
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IRF8513PBF 技术参数详情：
  • 型号:IRF8513PBF
  • 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
  • 封装:8-SO
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8SO
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:2 N-通道（双）
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）:30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A，11A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15.5 毫欧 @ 8A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.35V @ 25A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.6nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:766pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:1.5W，2.4W
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装:8-SO
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