IRF7433 - IR
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图片信息
IRF7433
制造厂家:
IR(International Rectifier,英飞凌INFINEON)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-SO
技术参数:
MOSFET P-CH 12V 8.9A 8SO
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IRF7433 技术参数详情:
型号:IRF7433
品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
封装:8-SO
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET P-CH 12V 8.9A 8SO
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:P 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.9A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):24 毫欧 @ 8.7A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):20 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值):±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1877 pF @ 10 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):2.5W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:8-SO
封装/外壳:8-SOIC(0.154
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