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IRF7379QTRPBF - IR
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图片信息
IRF7379QTRPBF 图片
IRF7379QTRPBF
  • 制造厂家：IR（International Rectifier，英飞凌INFINEON）
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
  • 技术参数：MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
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IRF7379QTRPBF 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：IRF7379QTRPBF
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：*
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 和 P 沟道
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：5.8A，4.3A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：45 毫欧 @ 5.8A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：25nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：520pF @ 25V
  • 功率-最大值：2.5W
  • 工作温度：-
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
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