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IRF6709S2TR1PBF - IR
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图片信息
IRF6709S2TR1PBF 图片
IRF6709S2TR1PBF
  • 制造厂家：IR（International Rectifier，英飞凌INFINEON）
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：DIRECTFET S1
  • 技术参数：MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
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IRF6709S2TR1PBF 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：IRF6709S2TR1PBF
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：HEXFET
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：25V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Ta），39A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7.8 毫欧 @ 12A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 25A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1010pF @ 13V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：1.8W（Ta），21W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：DIRECTFET S1
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